1.本儀器是晶閘管斷態電壓臨界上升率dv/dt參數的測試設備。適用于交流固態繼電器、晶閘管、雙向可控硅以及可控硅型光電耦合器的dv/dt參數測試。
2.本測試儀采用單片機控制，能夠對測試條件及測試數據進行運算；從而使得測試結果能夠直接讀出，免去了繁瑣的查表和運算。
3.單片機的數據處理和優化功能，降低了電路分布參數對測量結果的影響，使得測試結果準確。
4.由于該儀器的時間常數調整范圍大、檔位密集，對測試電壓、時間常數和測量結果進行數字顯示，從而使得儀器的測量精度%高、操作%加簡便和快捷。
5.其檢測原理采用JB/T7626-1994標準推薦的方法。是固態繼電器、電力半導體晶閘管生產廠家和使用單位常用的檢測設備。
，參數：
測試輸出電壓：2kV±5%
電壓測量誤差：±（讀數×2%+1）V
時間常數調整范圍：0.25-8μS
斷態電壓臨界上升率dv/dt測量范圍：0-4000V/μS
工作電源：AC 220V±10% 50Hz
工作溫度：0-40℃
整機功耗：小于150VA
整機尺寸：370×390×170mm
整機重量：11Kg