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KDKLT-1B高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀_生產(chǎn)用高頻光電導(dǎo)壽命測試儀
生產(chǎn)用高頻光電導(dǎo)壽命測試儀功能簡介：
τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數(shù)字示波器
高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)的重要檢測項目。
生產(chǎn)用高頻光電導(dǎo)壽命測試儀測量范圍：
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）
生產(chǎn)用高頻光電導(dǎo)壽命測試儀參數(shù)：
1、光脈沖發(fā)生裝置:
重復(fù)頻率>25次/s
脈 寬>60μｓ
光脈沖關(guān)斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）
脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
2、高頻源:
頻 率：30MHz低輸出阻抗
輸出功率>1W
放大器和檢波器:
頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz
3、配用示波器：
高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。